onsemi Isoliert PowerTrench Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 3.8 A 1.4 W, 6-Pin MicroFET FDME1024NZT

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.3.625

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 15. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 +CHF.0.725CHF.3.63

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
759-9576
Herst. Teile-Nr.:
FDME1024NZT
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

MicroFET

Serie

PowerTrench

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

160mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.7V

Maximale Verlustleistung Pd

1.4W

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3nC

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.5mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.6 mm

Länge

1.6mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Zweifach-N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


Bei Semis PowerTrench ® MOSFETs handelt es sich um optimierte Leistungsschaltgeräte, die eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine kleine Gate-Ladung, eine kleine Rückkehr-Rückgewinnung und eine weiche Rückgewinnungs-Gehäusediode, um zu einem schnellen Schalten der synchronen Gleichrichtung in AC/DC-Netzteilen beizutragen.

Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links