onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 17 A 31 W, 8-Pin FDMS8622 PQFN

RS Best.-Nr.:: 760-5918
Herst. Teile-Nr.:: FDMS8622
Marke:: onsemi

onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 17 A 31 W, 8-Pin FDMS8622 PQFN

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RS Best.-Nr.:: 760-5918
Herst. Teile-Nr.:: FDMS8622
Marke:: onsemi

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	17A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	PQFN
	Serie	PowerTrench
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	97mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	5nC
	Durchlassspannung Vf	0.8V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	31W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	5mm
	Höhe	1.05mm
	Breite	6 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße PQFN
	Serie PowerTrench
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 97mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5nC
	Durchlassspannung Vf 0.8V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 31W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 5mm
	Höhe 1.05mm
	Breite 6 mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 17 A 31 W, 8-Pin FDMS8622 PQFN

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semi

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