onsemi PowerTrench Power Clip N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 126 A 36 W, 8-Pin PQFN-8
- RS Best.-Nr.:
- 333-403
- Herst. Teile-Nr.:
- NTTFD1D8N02P1E
- Marke:
- onsemi
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|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF 1.747 | CHF 8.73 |
| 50 - 95 | CHF 1.656 | CHF 8.27 |
| 100 - 495 | CHF 1.535 | CHF 7.67 |
| 500 - 995 | CHF 1.414 | CHF 7.07 |
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- 333-403
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 126A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Gehäusegröße | PQFN-8 | |
| Serie | PowerTrench Power Clip | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 37.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 36W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, Pb-Free | |
| Breite | 3.3mm | |
| Länge | 3.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 126A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Gehäusegröße PQFN-8 | ||
Serie PowerTrench Power Clip | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37.5nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 36W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, Pb-Free | ||
Breite 3.3mm | ||
Länge 3.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der Leistungs-MOSFET von ON Semiconductor ist für Niederspannungsanwendungen optimiert und bietet einen hohen Wirkungsgrad und minimale Leitungsverluste. Mit seinem DSC-6-Gehäuse bietet er eine hervorragende thermische Leistung und platzsparende Vorteile für moderne elektronische Designs. Dieser Baustein gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb mit niedrigem R DS(on) und robuster Stromverarbeitung.
Reduzierte Grundfläche für kompaktes Design
Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung der Treiberverluste
Bleifrei
RoHS-Konformität
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