onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 61 A 108.7 W, 8-Pin NTMFS015N15MC PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 205-2430
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS015N15MC
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 61A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 14mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 27nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 108.7W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Breite | 4.9 mm | |
| Länge | 5.9mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 61A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 14mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 27nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 108.7W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.9mm | ||
Breite 4.9 mm | ||
Länge 5.9mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor Power Trench Serie 150 V N-Kanal MOSFET wird mit Advanced Process mit geschirmter Gate-Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.
Der maximale Drain-Nennstrom beträgt 61A.
Der Widerstand zwischen Ablass und Quelle beträgt 14 MOhm
Kleine Abmessungen (5 mm x 6 mm) für kompakte Bauweise
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
100 % UIL-geprüft
Gehäuse ist Power 56 (PQFN8)
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