onsemi UltraFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 24 A 78 W, 8-Pin PQFN-8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.3.592

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lieferengpass
  • Zusätzlich 3’000 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Unsere Lagerkapazitäten sind begrenzt und die Zulieferer haben bereits Lieferengpässe angekündigt.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18CHF.1.796CHF.3.59
20 - 198CHF.1.554CHF.3.10
200 - 998CHF.1.344CHF.2.68
1000 - 1998CHF.1.176CHF.2.36
2000 +CHF.1.071CHF.2.15

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
759-9140
Herst. Teile-Nr.:
FDMS2572
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

24A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

PQFN-8

Serie

UltraFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

103mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

31nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

78W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.75mm

Breite

6 mm

Länge

5mm

Automobilstandard

Nein

MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor


UltraFET® Trench-MOSFETs kombinieren Eigenschaften, die eine richtungsweisende Effizienz in der Leistungsumwandlung ermöglichen. Das Gerät hält im Stoßentladungsmodus einer hohen Energielast stand, und die Diode zeichnet sich durch eine sehr niedrige Umkehr-Erholzeit und gespeicherte Ladung aus. Optimiert für Effizienz bei hohen Frequenzen, niedrigste RDS(ein), niedriger ESR und niedrige Gesamt- und Miller-Gate-Ladung.

Anwendungen: DC/DC-Hochfrequenzwandler , Schaltregler, Motorantriebe, Niedrigspannungs-Busschalter und Stromüberwachung.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links