STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 50 A 125 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 760-9904
- Herst. Teile-Nr.:
- STD40NF10
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.9.795
Auf Lager
- 10 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 1'465 Einheit(en) mit Versand ab 22. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | CHF.1.959 | CHF.9.81 |
| 10 - 95 | CHF.1.656 | CHF.8.29 |
| 100 - 495 | CHF.1.252 | CHF.6.28 |
| 500 - 995 | CHF.1.061 | CHF.5.31 |
| 1000 + | CHF.0.848 | CHF.4.24 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 760-9904
- Herst. Teile-Nr.:
- STD40NF10
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | STripFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 28mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 46.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.6mm | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie STripFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 28mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 46.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.6mm | ||
Höhe 2.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 50 A 125 W, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 35 A 70 W, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 16 A 40 W, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A 30 W, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 17 A 30 W, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 100 V / 25 A 100 W, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 23 A 70 W, 3-Pin TO-252