onsemi Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 300 mA 266 mW, 6-Pin SC-88 NTJD5121NT1G

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)*

CHF.5.25

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 28’950 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
50 +CHF.0.105CHF.5.36

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
780-0627
Herst. Teile-Nr.:
NTJD5121NT1G
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

300mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SC-88

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.9nC

Betriebstemperatur min.

150°C

Maximale Verlustleistung Pd

266mW

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Höhe

1mm

Breite

1.35 mm

Länge

2.2mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Dual-N-Kanal-MOSFET, ON Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor


Verwandte Links