onsemi NTZS3151P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 950 mA 210 mW, 6-Pin NTZS3151PT1G SOT-563

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*

CHF.7.10

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 12. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 - 75CHF.0.284CHF.7.09
100 - 225CHF.0.242CHF.6.11
250 - 475CHF.0.21CHF.5.30
500 - 975CHF.0.189CHF.4.67
1000 +CHF.0.168CHF.4.25

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
780-4806
Herst. Teile-Nr.:
NTZS3151PT1G
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

950mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SOT-563

Serie

NTZS3151P

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

240mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-0.9V

Maximale Verlustleistung Pd

210mW

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5.6nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.3 mm

Höhe

0.6mm

Länge

1.7mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 20 V, ON Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor


Verwandte Links