DiodesZetex Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 50 V Erweiterung 430 mW, 6-Pin SOT-563 DMN53D0LV-7
- RS Best.-Nr.:
- 246-7518
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN53D0LV-7
- Marke:
- DiodesZetex
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.0.273 | CHF.6.77 |
| 50 - 75 | CHF.0.263 | CHF.6.62 |
| 100 - 225 | CHF.0.20 | CHF.4.88 |
| 250 - 975 | CHF.0.189 | CHF.4.78 |
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- RS Best.-Nr.:
- 246-7518
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN53D0LV-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 50V | |
| Gehäusegröße | SOT-563 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.4V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 1.5 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 430mW | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 50V | ||
Gehäusegröße SOT-563 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.4V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 1.5 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 430mW | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Doppel-N-Kanal-MOSFET von DiodesZetex wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen eignet. Er bietet eine hohe Schaltgeschwindigkeit und geringe Eingangs-/Ausgangsverluste. Das ultrakleine Gehäuse für die Oberflächenmontage ist ESD-geschützt bis 2KV.
Niedriger Ein-Widerstand. Sehr niedrige Gate-Schwellenspannung. Niedrige Eingangskapazität
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