DiodesZetex Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 50 V Erweiterung 430 mW, 6-Pin SOT-563

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
246-6810
Herst. Teile-Nr.:
DMN53D0LV-7
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung Vds max.

50V

Gehäusegröße

SOT-563

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.4V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.6nC

Gate-Source-spannung max Vgs

1.5 V

Maximale Verlustleistung Pd

430mW

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der Doppel-N-Kanal-MOSFET von DiodesZetex wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen eignet. Er bietet eine hohe Schaltgeschwindigkeit und geringe Eingangs-/Ausgangsverluste. Das ultrakleine Gehäuse für die Oberflächenmontage ist ESD-geschützt bis 2KV.

Niedriger Ein-Widerstand. Sehr niedrige Gate-Schwellenspannung. Niedrige Eingangskapazität

Verwandte Links