DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 1.38 A 530 mW, 6-Pin SOT-563
- RS Best.-Nr.:
- 122-2870
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG1024UV-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.315.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 20. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF.0.105 | CHF.302.40 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 122-2870
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG1024UV-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.38A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SOT-563 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 530mW | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 736.6nC | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 6 V | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Höhe | 0.6mm | |
| Länge | 1.7mm | |
| Breite | 1.25 mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.38A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SOT-563 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 530mW | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 736.6nC | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 6 V | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Höhe 0.6mm | ||
Länge 1.7mm | ||
Breite 1.25 mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Verwandte Links
- DiodesZetex N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,33 A 530 mW, 6-Pin SOT-563
- DiodesZetex N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 280 mA 150 mW, 6-Pin SOT-563
- DiodesZetex N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 260 mA 450 mW, 6-Pin SOT-563
- onsemi P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 430 mA 280 mW, 6-Pin SOT-563
- onsemi N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 280 mA 250 mW, 6-Pin SOT-563
- Toshiba N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 180 mA 150 mW, 6-Pin SOT-563
- ROHM EM6K6 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 300 mA 150 mW, 6-Pin SOT-563
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1 A, 700 mA 1 W, 6-Pin SOT-563