DiodesZetex Doppelt DMG1023 Typ P-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 1.03 A 530 W, 6-Pin SOT-563
- RS Best.-Nr.:
- 206-0067
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG1023UVQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 206-0067
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG1023UVQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.03A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SOT-563 | |
| Serie | DMG1023 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -0.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 530W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 6 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 622.4nC | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.2 mm | |
| Länge | 1.6mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.03A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SOT-563 | ||
Serie DMG1023 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -0.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 530W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 6 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 622.4nC | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.2 mm | ||
Länge 1.6mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der DiodesZetex 20-V-MOSFET mit komplementäragem Paarverbesserungsmodus wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet. Seine Gate-Quellspannung beträgt 6 V mit einer thermischen Verlustleistung von 0,53 W.
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
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