DiodesZetex Doppelt DMC2710 Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 800 mA 0.8 W, 6-Pin SOT-563
- RS Best.-Nr.:
- 206-0057
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC2710UV-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- 206-0057
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC2710UV-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 800mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SOT-563 | |
| Serie | DMC2710 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.7Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 6 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.8W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Breite | 1.1 mm | |
| Länge | 1.55mm | |
| Normen/Zulassungen | UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, J-STD-020, AEC-Q101 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 800mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SOT-563 | ||
Serie DMC2710 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 6 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.8W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Höhe 1.5mm | ||
Breite 1.1 mm | ||
Länge 1.55mm | ||
Normen/Zulassungen UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, J-STD-020, AEC-Q101 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der komplementäre DiodesZetex-MOSFET für den Paarverbesserungsmodus wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet. Seine Gate-Quellspannung beträgt 6 V mit 0,46 W Wärmeverlustleistung.
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
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