DiodesZetex Doppelt DMC2710 Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 800 mA 0.8 W, 6-Pin SOT-563
- RS Best.-Nr.:
- 206-0056
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC2710UV-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- DMC2710UV-7
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 800mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | DMC2710 | |
| Gehäusegröße | SOT-563 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.7Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.8W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Länge | 1.55mm | |
| Normen/Zulassungen | UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, J-STD-020, AEC-Q101 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 800mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie DMC2710 | ||
Gehäusegröße SOT-563 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.8W | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Höhe 1.5mm | ||
Länge 1.55mm | ||
Normen/Zulassungen UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, J-STD-020, AEC-Q101 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der komplementäre DiodesZetex-MOSFET für den Paarverbesserungsmodus wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet. Seine Gate-Quellspannung beträgt 6 V mit 0,46 W Wärmeverlustleistung.
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
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