DiodesZetex Doppelt DMC2710 Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 800 mA 0.8 W, 6-Pin SOT-563
- RS Best.-Nr.:
- 206-0056
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC2710UV-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | CHF.0.095 | CHF.274.05 |
| 9000 - 21000 | CHF.0.084 | CHF.264.60 |
| 24000 - 42000 | CHF.0.084 | CHF.258.30 |
| 45000 + | CHF.0.084 | CHF.252.00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 206-0056
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC2710UV-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 800mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | DMC2710 | |
| Gehäusegröße | SOT-563 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.7Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.8W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 6 V | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Länge | 1.55mm | |
| Breite | 1.1 mm | |
| Normen/Zulassungen | UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, J-STD-020, AEC-Q101 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 800mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie DMC2710 | ||
Gehäusegröße SOT-563 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.8W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 6 V | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.5mm | ||
Länge 1.55mm | ||
Breite 1.1 mm | ||
Normen/Zulassungen UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, J-STD-020, AEC-Q101 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der komplementäre DiodesZetex-MOSFET für den Paarverbesserungsmodus wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet. Seine Gate-Quellspannung beträgt 6 V mit 0,46 W Wärmeverlustleistung.
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
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