DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 260 mA 450 mW, 6-Pin SOT-563
- RS Best.-Nr.:
- 122-2883
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN63D8LV-7
- Marke:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
| 3000 - 12000 | CHF.0.042 | CHF.138.60 |
| 15000 - 27000 | CHF.0.042 | CHF.135.45 |
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- RS Best.-Nr.:
- 122-2883
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN63D8LV-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 260mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOT-563 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 450mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Normen/Zulassungen | UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS | |
| Höhe | 0.6mm | |
| Länge | 1.7mm | |
| Breite | 1.25 mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 260mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOT-563 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 450mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.4nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Normen/Zulassungen UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS | ||
Höhe 0.6mm | ||
Länge 1.7mm | ||
Breite 1.25 mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
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