STMicroelectronics STripFET H7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 180 A 315 W, 3-Pin H2PAK

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STH310N10F7-2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

STripFET H7

Gehäusegröße

H2PAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

315W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

180nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

15.8mm

Höhe

4.8mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal STripFET™ H7-Serie, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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