Vishay Si2319CDS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 4.4 A 2.5 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 787-9042
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2319CDS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- 787-9042
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2319CDS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | Si2319CDS | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 108mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13.6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.04mm | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie Si2319CDS | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 108mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13.6nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.04mm | ||
Höhe 1.02mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MERKMALE
• halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET ® Leistungs-MOSFET
• 100 % Rg geprüft
• Erfüllt RoHS-Direktive 2002/95/EG
ANWENDUNGEN
• Lastschalter
• DC/DC-Wandler
P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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