Vishay Si1308EDL Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 1.5 A 0.5 W, 3-Pin Si1308EDL-T1-GE3 SOT-323
- RS Best.-Nr.:
- 787-9121
- Herst. Teile-Nr.:
- Si1308EDL-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.8.40
Nur noch Restbestände
- Noch 25 Einheit(en) verfügbar, versandfertig
- Zusätzlich 400 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Die letzten 12’125 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | CHF.0.336 | CHF.8.48 |
| 250 - 600 | CHF.0.252 | CHF.6.35 |
| 625 - 1225 | CHF.0.221 | CHF.5.51 |
| 1250 - 2475 | CHF.0.189 | CHF.4.67 |
| 2500 + | CHF.0.158 | CHF.3.99 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 787-9121
- Herst. Teile-Nr.:
- Si1308EDL-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOT-323 | |
| Serie | Si1308EDL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.185Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.5W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±12 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.4nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | Lead (Pb)-Free | |
| Breite | 1.35 mm | |
| Länge | 2.2mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOT-323 | ||
Serie Si1308EDL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.185Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.5W | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±12 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.4nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen Lead (Pb)-Free | ||
Breite 1.35 mm | ||
Länge 2.2mm | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,5 A 400 mW, 3-Pin SOT-323
- ROHM RSF015N06 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1,5 A 800 mW, 3-Pin SOT-323
- onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 8 V / 1,5 A 330 mW, 3-Pin SOT-323
- Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,5 A 500 mW, 3-Pin SOT-323
- Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 600 mA 280 mW, 3-Pin SOT-323
- DiodesZetex P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,5 A 250 mW, 3-Pin SOT-323
- Vishay N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 400 mA, 700 mA 340 mW, 6-Pin SOT-363
- Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23
