Vishay SiHG32N50D N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 30 A 390 W, 3-Pin TO-247AC
- RS Best.-Nr.:
- 787-9207
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHG32N50D-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 787-9207
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHG32N50D-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | TO-247AC | |
| Serie | SiHG32N50D | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 150mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30V, +30V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 390W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 64nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 15.87mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.31mm | |
| Höhe | 20.82mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße TO-247AC | ||
Serie SiHG32N50D | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 150mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30V, +30V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 390W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 64nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 15.87mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.31mm | ||
Höhe 20.82mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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