Vishay Si4190ADY Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 18 A 6 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 787-9235
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4190ADY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Leider können wir keine Angaben machen, wann dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.
- RS Best.-Nr.:
- 787-9235
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4190ADY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | Si4190ADY | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.2Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 6W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 44.4nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie Si4190ADY | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.2Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 6W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 44.4nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.5mm | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay Si4190ADY Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 18 A 6 W, 8-Pin SOIC
- Vishay ThunderFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 11.1 A 5.7 W, 8-Pin SOIC
- Vishay Si4116DY Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 12.7 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- Vishay ThunderFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 20 A 7.8 W, 8-Pin SOIC
- Vishay Si4850EY Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 8.5 A 3.3 W, 8-Pin SOIC
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 36 A 5 W, 8-Pin SOIC
- Vishay Si4178DY Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 12 A 5 W, 8-Pin SOIC
- Vishay Si4134DY Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 14 A 5 W, 8-Pin SOIC