Vishay ThunderFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 30 A 52 W, 8-Pin SIS468DN-T1-GE3 PowerPAK 1212

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Herst. Teile-Nr.:
SIS468DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

ThunderFET

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

32mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.78V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18.1nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

52W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.12mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.4mm

Breite

3.4 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, mittlerer Spannung/thunderfet®, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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