Vishay SiS892ADN Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 100 V / 28 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- RS Best.-Nr.:
- 787-9399
- Herst. Teile-Nr.:
- SIS892ADN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 28A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | SiS892ADN | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.033Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 52W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.1nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.4mm | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 28A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie SiS892ADN | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.033Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 52W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.1nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.4mm | ||
Höhe 1.12mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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