DiodesZetex DMN6040SK3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 20 A 42 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 790-4609
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN6040SK3-13
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.2.83
Auf Lager
- Zusätzlich 1'070 Einheit(en) mit Versand ab 14. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.0.283 | CHF.2.80 |
| 50 - 120 | CHF.0.263 | CHF.2.65 |
| 130 - 620 | CHF.0.172 | CHF.1.70 |
| 630 - 1250 | CHF.0.162 | CHF.1.63 |
| 1260 + | CHF.0.131 | CHF.1.31 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 790-4609
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN6040SK3-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | DMN6040SK3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 50mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 42W | |
| Durchlassspannung Vf | -0.9V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22.4nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Länge | 6.7mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie DMN6040SK3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 50mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 42W | ||
Durchlassspannung Vf -0.9V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22.4nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.39mm | ||
Länge 6.7mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-MOSFET, 40 V bis 90 V, Diodes Inc
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Verwandte Links
- DiodesZetex DMN6040SK3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 20 A 42 W, 3-Pin TO-252
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W TO-252
- DiodesZetex DMTH6016LK3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 46.9 A 60 W, 4-Pin TO-252
- DiodesZetex Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 3-Pin TO-252
- DiodesZetex DMTH3002LK3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 150 A, 2-Pin TO-252
- DiodesZetex DMN6068LK3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 8.5 A 8.49 W, 3-Pin TO-252
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 17.6 A 1.73 W, 3-Pin TO-252
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 59 A 1.73 W, 3-Pin TO-252