DiodesZetex DMTH6016LK3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 46.9 A 60 W, 4-Pin DMTH6016LK3-13 TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
DMTH6016LK3-13
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

46.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

DMTH6016LK3

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

24mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17nC

Maximale Verlustleistung Pd

60W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

6.2 mm

Höhe

2.26mm

Länge

6.7mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.

Ausgelegt für +175 °C – Ideal für den Einsatz bei hoher Umgebungstemperatur

Umgebungsbedingungen

Niedriger RDS(ON) – Sorgt dafür, dass Zustandsverluste minimiert werden

Ausgezeichnetes Qgd x RDS(ON) Produkt (FOM)

Bleifreie Oberfläche

halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät.

Stromüberwachungsfunktionen

DC/DC-Wandler

Hinterleuchtung.

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