DiodesZetex DMTH6016LK3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 46.9 A 60 W, 4-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 182-6943
- Herst. Teile-Nr.:
- DMTH6016LK3-13
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*
CHF.500.00
Auf Lager
- 2’500 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | CHF.0.20 | CHF.493.50 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 182-6943
- Herst. Teile-Nr.:
- DMTH6016LK3-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 46.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | DMTH6016LK3 | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 24mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 60W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.2 mm | |
| Länge | 6.7mm | |
| Höhe | 2.26mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 46.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie DMTH6016LK3 | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 24mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 60W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.2 mm | ||
Länge 6.7mm | ||
Höhe 2.26mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.
Ausgelegt für +175 °C – Ideal für den Einsatz bei hoher Umgebungstemperatur
Umgebungsbedingungen
Niedriger RDS(ON) – Sorgt dafür, dass Zustandsverluste minimiert werden
Ausgezeichnetes Qgd x RDS(ON) Produkt (FOM)
Bleifreie Oberfläche
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät.
Stromüberwachungsfunktionen
DC/DC-Wandler
Hinterleuchtung.
Verwandte Links
- DiodesZetex DMTH6016LK3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 46.9 A 60 W, 4-Pin DMTH6016LK3-13 TO-252
- DiodesZetex DMN6040SK3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 20 A 42 W, 3-Pin TO-252
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 14 A 40 W, 3-Pin TO-252
- DiodesZetex DMN6068LK3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 8.5 A 8.49 W, 3-Pin TO-252
- DiodesZetex DMN6040SK3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 20 A 42 W, 3-Pin DMN6040SK3-13 TO-252
- DiodesZetex DMN6068LK3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 8.5 A 8.49 W, 3-Pin DMN6068LK3-13 TO-252
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 14 A 40 W, 3-Pin DMP6180SK3-13 TO-252
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W TO-252