onsemi NTR2101P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 8 V / 3.7 A 960 mW, 3-Pin NTR2101PT1G SOT-23

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Herst. Teile-Nr.:
NTR2101PT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

8V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

NTR2101P

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

120mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±8 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

960mW

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12nC

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.04mm

Höhe

1.01mm

Breite

1.4 mm

Automobilstandard

Nein

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 8V, ON Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor


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