onsemi NTR2101P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 8 V / 3.7 A 960 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 162-9612
- Herst. Teile-Nr.:
- NTR2101PT1G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 162-9612
- Herst. Teile-Nr.:
- NTR2101PT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 8V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | NTR2101P | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 120mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±8 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 960mW | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.01mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.04mm | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 8V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie NTR2101P | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 120mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±8 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 960mW | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.01mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.04mm | ||
Breite 1.4 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 8V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
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