STMicroelectronics STripFET H7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 80 A 150 W, 3-Pin STB100N10F7 TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 792-5697
- Herst. Teile-Nr.:
- STB100N10F7
- Marke:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.3.255 | CHF.16.25 |
| 25 - 45 | CHF.3.087 | CHF.15.45 |
| 50 - 120 | CHF.2.783 | CHF.13.90 |
| 125 - 245 | CHF.2.499 | CHF.12.52 |
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- RS Best.-Nr.:
- 792-5697
- Herst. Teile-Nr.:
- STB100N10F7
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | STripFET H7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 61nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Breite | 9.35 mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie STripFET H7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 61nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.6mm | ||
Breite 9.35 mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
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STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
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