Nexperia Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 270 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 798-2924
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN1R8-30PL,127
- Marke:
- Nexperia
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.6.222
Vorübergehend ausverkauft
- 4'658 Einheit(en) mit Versand ab 24. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.3.111 | CHF.6.22 |
| 10 - 38 | CHF.2.727 | CHF.5.46 |
| 40 - 98 | CHF.2.394 | CHF.4.79 |
| 100 - 198 | CHF.2.242 | CHF.4.48 |
| 200 + | CHF.2.121 | CHF.4.24 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 798-2924
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN1R8-30PL,127
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 170nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 270W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 16mm | |
| Breite | 4.7 mm | |
| Länge | 10.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 170nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 270W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 16mm | ||
Breite 4.7 mm | ||
Länge 10.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
Verwandte Links
- Nexperia Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 270 W, 3-Pin TO-220
- Nexperia Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 170 W, 3-Pin TO-220
- Nexperia Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 103 W, 3-Pin TO-220
- Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 270 A 341 W, 5-Pin LFPAK
- Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 211 W, 4-Pin TO-220
- Nexperia Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 80 V / 120 A 338 W, 3-Pin TO-220
- Nexperia Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 80 V / 100 A 306 W, 3-Pin TO-220
- Nexperia Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 57 A 148 W, 3-Pin TO-220