Nexperia Einfach N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 100 A 148 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 798-2974
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN4R5-40BS,118
- Marke:
- Nexperia
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- RS Best.-Nr.:
- 798-2974
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN4R5-40BS,118
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 40 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 100 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 148 W | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Höhe | 4.5 mm | |
| Länge | 10.3 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 6.5 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 20 V, -20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Breite | 11 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 40 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 100 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 148 W | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Höhe 4.5 mm | ||
Länge 10.3 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 6.5 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 20 V, -20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Breite 11 mm | ||
- Ursprungsland:
- PH
N-Channel MOSFET, 40V to 55V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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