Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 211 W, 3-Pin PSMN4R6-60BS,118 TO-263

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798-2987
Herst. Teile-Nr.:
PSMN4R6-60BS,118
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

70.8nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

211W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.5mm

Länge

10.3mm

Breite

11 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH

N-Kanal-MOSFET, 60–80 V, Nexperia


MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors


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