onsemi NTBGS1D Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 267 A 211 W, 7-Pin NTBGS1D5N06C TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.23.365

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 800 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 +CHF.4.673CHF.23.38

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
221-6700
Herst. Teile-Nr.:
NTBGS1D5N06C
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

267A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

NTBGS1D

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.55mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

211W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

78.6nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

15.7mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

10.2mm

Breite

4.7 mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor 60 V Leistungs-MOSFET verwendete 267 A Abflussstrom mit einem N-Kanal. Es hat ein geringeres Schaltgeräusch/EMI und minimiert Leitungsverluste.

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten

Niedrige Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

Verwandte Links