Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 211 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 166-0024
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN4R6-60BS,118
- Marke:
- Nexperia
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*
CHF.873.60
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 27. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 800 + | CHF.1.092 | CHF.873.60 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 166-0024
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN4R6-60BS,118
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 211W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 70.8nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 11 mm | |
| Länge | 10.3mm | |
| Höhe | 4.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 211W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 70.8nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 11 mm | ||
Länge 10.3mm | ||
Höhe 4.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
N-Kanal-MOSFET, 60–80 V, Nexperia
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
Verwandte Links
- Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 211 W, 3-Pin PSMN4R6-60BS,118 TO-263
- Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 120 A 306 W, 3-Pin TO-263
- Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 120 A 306 W, 3-Pin PSMN1R7-60BS,118 TO-263
- Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 103 W, 3-Pin TO-263
- onsemi NTBGS1D Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 267 A 211 W, 7-Pin TO-263
- Nexperia PSMN3R4-30BLE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 120 A, 3-Pin TO-263 PSMN3R4-30BLE,118
- Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 103 W, 3-Pin PSMN4R3-30BL,118 TO-263
- onsemi NTBGS1D Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 267 A 211 W, 7-Pin NTBGS1D5N06C TO-263