Teile-Nr.

Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 211 A IPBE65R050CFD7AATMA1 TO-263

RS Best.-Nr.:: 258-3827
Herst. Teile-Nr.:: IPBE65R050CFD7AATMA1
Marke:: Infineon

Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 211 A IPBE65R050CFD7AATMA1 TO-263

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RS Best.-Nr.:: 258-3827
Herst. Teile-Nr.:: IPBE65R050CFD7AATMA1
Marke:: Infineon

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	211A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Serie	iPB
	Gehäusegröße	TO-263
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	40.7mΩ
	Channel-Modus	N
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 211A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Serie iPB
	Gehäusegröße TO-263
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 40.7mΩ
	Channel-Modus N
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPBE65R050CFD7AATMA1

Die Infineon CoolMOS C3A-Technologie wurde entwickelt, um die wachsenden Anforderungen an höhere Systemspannungen im Bereich von Elektrofahrzeugen wie PHEV und BEV zu erfüllen.

Best-in-Class-Qualität und Zuverlässigkeit

Höhere Durchschlagsspannung

Hohe Spitzenstromleistung

Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 211 A IPBE65R050CFD7AATMA1 TO-263

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