Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 211 A TO-263

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RS Best.-Nr.:
258-3826
Herst. Teile-Nr.:
IPBE65R050CFD7AATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

211A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

iPB

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

40.7mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon CoolMOS C3A-Technologie wurde entwickelt, um die wachsenden Anforderungen an höhere Systemspannungen im Bereich von Elektrofahrzeugen wie PHEV und BEV zu erfüllen.

Best-in-Class-Qualität und Zuverlässigkeit

Höhere Durchschlagsspannung

Hohe Spitzenstromleistung

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