onsemi NTBGS1D N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 267 A 211 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 221-6699
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBGS1D5N06C
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 267A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | NTBGS1D | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.55mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 211W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 78.6nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 15.7mm | |
| Breite | 4.7mm | |
| Länge | 10.2mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 267A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie NTBGS1D | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.55mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 211W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 78.6nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 15.7mm | ||
Breite 4.7mm | ||
Länge 10.2mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor 60 V Leistungs-MOSFET verwendete 267 A Abflussstrom mit einem N-Kanal. Es hat ein geringeres Schaltgeräusch/EMI und minimiert Leitungsverluste.
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
Niedrige Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
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