onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 1200 V Erweiterung / 98 A, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 195-8969
- Herst. Teile-Nr.:
- NVBG020N120SC1
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 195-8969
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- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 98A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.028Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 98A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.028Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET, N-Kanal - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L
Der On Semiconductor Single N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Ein-Widerstand und die kompakte Chipgröße für geringe Kapazität und Gatterladung. Es umfasst höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, reduzierte elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.
Ultra-niedrige Gate-Ladung (typ. QG(tot) = 220 nC)
Niedrige effektive Ausgangskapazität
100 % Avalanche-getestet
Qualifiziert nach AEC-Q101
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