onsemi NVB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 60 A 178 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 202-5730
- Herst. Teile-Nr.:
- NVBG040N120SC1
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
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- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | NVB | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 56mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 178W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 106nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.2mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Höhe | 15.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie NVB | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 56mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 178W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 106nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.2mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Höhe 15.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET, N-Kanal - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L Siliziumkarbid MOSFET, N-Kanal, 1200 V, 40 m?, D2PAK-7L
Der on Semiconductor Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET läuft mit 60 Ampere und 1200 Volt. Er kann in Kfz-Ladegeräten, DC- oder DC-Wandleranwendungen verwendet werden.
AEC Q101-zertifiziert
Produktionsteil-Genehmigungsprozess möglich
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Niedrige effektive Ausgangskapazität
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