onsemi NVB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 60 A 178 W, 7-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
202-5730
Herst. Teile-Nr.:
NVBG040N120SC1
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

NVB

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

56mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Verlustleistung Pd

178W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

106nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Höhe

15.7mm

Breite

4.7 mm

Länge

10.2mm

Automobilstandard

Nein

Siliziumkarbid (SiC) MOSFET, N-Kanal - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L Siliziumkarbid MOSFET, N-Kanal, 1200 V, 40 m?, D2PAK-7L


Der on Semiconductor Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET läuft mit 60 Ampere und 1200 Volt. Er kann in Kfz-Ladegeräten, DC- oder DC-Wandleranwendungen verwendet werden.

AEC Q101-zertifiziert

Produktionsteil-Genehmigungsprozess möglich

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Niedrige effektive Ausgangskapazität

Verwandte Links