onsemi NVB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 60 A 178 W, 7-Pin NVBG040N120SC1 TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.38.452

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 652 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18CHF.19.226CHF.38.45
20 - 198CHF.16.569CHF.33.15
200 +CHF.14.364CHF.28.73

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
202-5731
Herst. Teile-Nr.:
NVBG040N120SC1
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

NVB

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

56mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

106nC

Maximale Verlustleistung Pd

178W

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Länge

10.2mm

Höhe

15.7mm

Breite

4.7 mm

Automobilstandard

Nein

Siliziumkarbid (SiC) MOSFET, N-Kanal - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L Siliziumkarbid MOSFET, N-Kanal, 1200 V, 40 m?, D2PAK-7L


Der on Semiconductor Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET läuft mit 60 Ampere und 1200 Volt. Er kann in Kfz-Ladegeräten, DC- oder DC-Wandleranwendungen verwendet werden.

AEC Q101-zertifiziert

Produktionsteil-Genehmigungsprozess möglich

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Niedrige effektive Ausgangskapazität