IXYS HiperFET, Polar3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 132 A 1.89 kW, 3-Pin PLUS264
- RS Best.-Nr.:
- 802-4348P
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFB132N50P3
- Marke:
- IXYS
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 13 Stück (geliefert in Stange)*
CHF.277.784
Auf Lager
- 15 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 13 + | CHF.21.37 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 802-4348P
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFB132N50P3
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 132A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | PLUS264 | |
| Serie | HiperFET, Polar3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 39mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 250nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.89kW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 26.59mm | |
| Länge | 20.29mm | |
| Breite | 5.31 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 132A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße PLUS264 | ||
Serie HiperFET, Polar3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 39mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 250nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.89kW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 26.59mm | ||
Länge 20.29mm | ||
Breite 5.31 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS