Vishay IRFR Typ N-Kanal, Durchsteckmontage, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 200 V / 2.6 A 25 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 812-0616
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR210TRPBF
- Marke:
- Vishay
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- 812-0616
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR210TRPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | IRFR | |
| Montageart | Durchsteckmontage, Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.2nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 25W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.38mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie IRFR | ||
Montageart Durchsteckmontage, Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.2nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 25W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.38mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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