Vishay Si2323DDS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4.3 A 1.7 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 812-3110
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2323DDS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*
CHF.11.12
Vorübergehend ausverkauft
- 3'000 Einheit(en) mit Versand ab 02. April 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | CHF 0.556 | CHF 11.05 |
| 200 - 480 | CHF 0.404 | CHF 8.18 |
| 500 - 980 | CHF 0.343 | CHF 6.85 |
| 1000 - 1980 | CHF 0.303 | CHF 6.08 |
| 2000 + | CHF 0.222 | CHF 4.42 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 812-3110
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2323DDS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | Si2323DDS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 75mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -0.79V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.7W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.4mm | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.04mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie Si2323DDS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 75mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -0.79V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.7W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.4mm | ||
Höhe 1.02mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.04mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay Si2323DDS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4.3 A 1.7 W, 3-Pin SOT-23
- Vishay Si2333DDS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 6 A 1.7 W, 3-Pin SOT-23
- Vishay Si2309CDS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -60 V / 1.2 A 1.7 W, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 5.9 A 1.7 W, 3-Pin SOT-23
- Vishay Si2367DS Typ P-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 20 V / 3.8 A 1.7 W, 3-Pin SOT-23
- Vishay Siliconix TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 3.6 A 1.7 W, 3-Pin SOT-23
- Vishay Si2304DDS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3.6 A 1.7 W, 3-Pin SOT-23
- Vishay Si2374DS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 5.9 A 1.7 W, 3-Pin SOT-23