Vishay Si2304DDS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3.6 A 1.7 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 812-3117
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2304DDS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | CHF.0.313 | CHF.15.50 |
| 500 - 1200 | CHF.0.222 | CHF.10.86 |
| 1250 - 2450 | CHF.0.172 | CHF.8.54 |
| 2500 - 4950 | CHF.0.152 | CHF.7.78 |
| 5000 + | CHF.0.141 | CHF.6.97 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 812-3117
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2304DDS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | Si2304DDS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 75mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.7W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.04mm | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie Si2304DDS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 75mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.7W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.04mm | ||
Höhe 1.02mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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