Vishay SiB406EDK Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 5.1 A 10 W, 6-Pin SC-75

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814-1247P
Herst. Teile-Nr.:
SIB406EDK-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SC-75

Serie

SiB406EDK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

63mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.5nC

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Verlustleistung Pd

10W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

1.7mm

Höhe

0.8mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MOSFET, 8 V bis 25 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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