Vishay SiHF9630S Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 4 A 74 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 815-2663
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHF9630STRL-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.10.81
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 03. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.1.081 | CHF.10.79 |
| 100 - 240 | CHF.1.02 | CHF.10.16 |
| 250 - 490 | CHF.0.919 | CHF.9.17 |
| 500 - 990 | CHF.0.859 | CHF.8.63 |
| 1000 + | CHF.0.808 | CHF.8.08 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 815-2663
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHF9630STRL-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | SiHF9630S | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 800mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 74W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 29nC | |
| Durchlassspannung Vf | -6.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.67mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie SiHF9630S | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 800mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 74W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 29nC | ||
Durchlassspannung Vf -6.5V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.67mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.83mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
P-Kanal MOSFET, 100 V bis 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay SiHF9630S Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 4 A 74 W, 3-Pin TO-263
- Vishay SiHF634S Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 8.1 A 74 W, 3-Pin TO-263
- Vishay SiHF630S Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 9 A 74 W, 3-Pin TO-263
- Vishay SiHFBC30AS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 3.6 A 74 W, 3-Pin TO-263
- Vishay SiHF9Z14S Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 4.7 A 43 W, 3-Pin TO-263
- Vishay SiHF9620S Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 2 A 40 W, 3-Pin TO-263
- Vishay SiHF9540S Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 13 A 150 W, 3-Pin TO-263
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 150 A 375 W, 3-Pin TO-263