Vishay IRFL210 Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 200 V / 960 mA 3.1 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 815-2736
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFL210TRPBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.7.98
Auf Lager
- 1'690 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.798 | CHF.7.95 |
| 100 - 240 | CHF.0.636 | CHF.6.36 |
| 250 - 490 | CHF.0.556 | CHF.5.58 |
| 500 - 990 | CHF.0.515 | CHF.5.16 |
| 1000 + | CHF.0.465 | CHF.4.67 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 815-2736
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFL210TRPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 960mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | IRFL210 | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.1W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.2nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 3.7mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 1.8mm | |
| Länge | 6.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 960mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie IRFL210 | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.1W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.2nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 3.7mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 1.8mm | ||
Länge 6.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRFL210 von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 200 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 960 mA – IRFL210TRPBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein oberflächenmontiertes N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für das Schalten und Verstärken in elektronischen Steuer- und Leistungsumwandlungsstromkreisen entwickelt wurde. Er bietet eine Hochspannungsfähigkeit und einen Gate-Drive-Bereich, der für die Niederspannungssteuerung geeignet ist, wodurch er sich für Anwendungen eignet, die ein kompaktes SOT-223-Gehäuse und eine moderate kontinuierliche Drain-Leistung erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 200 V Vds ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• 1,5 Ω Rds bieten einen vorhersehbaren Einschaltwiderstand für die Laststeuerung
• 960 mA kontinuierlicher Ablassstrom für moderate Lasten
• 8,2 nC typische Gate-Ladung ermöglicht niedrige Antriebsenergieanforderungen
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V ermöglicht Standard-Gate-Drive-Margen
• 3,1 W Verlustleistung für thermische Planung in eingeschränkten Baugruppen
• 1,5 Ω Rds bieten einen vorhersehbaren Einschaltwiderstand für die Laststeuerung
• 960 mA kontinuierlicher Ablassstrom für moderate Lasten
• 8,2 nC typische Gate-Ladung ermöglicht niedrige Antriebsenergieanforderungen
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V ermöglicht Standard-Gate-Drive-Margen
• 3,1 W Verlustleistung für thermische Planung in eingeschränkten Baugruppen
Anwendungen
• Geeignet für Mittelspannungsnetzteile und Wandler
• Ideal für die Steuerung von Motorantrieben in kleinen Automatisierungssystemen
• Wird für die Schaltregelung in der Messtechnik verwendet
• Kann zum Schalten von Lasten in Schalttafeln verwendet werden
• Ideal für die Steuerung von Motorantrieben in kleinen Automatisierungssystemen
• Wird für die Schaltregelung in der Messtechnik verwendet
• Kann zum Schalten von Lasten in Schalttafeln verwendet werden
Welchen Betriebstemperaturbereich kann ich für Zuverlässigkeit erwarten?
Das Gerät arbeitet von -55 °C bis zu einer maximalen Sperrschichttemperatur von 150 °C, was das thermische Design und die Derating für einen dauerhaften Einsatz informiert.
Wie sollte ich die verpackungsbedingten thermischen Grenzwerte berücksichtigen?
Die maximale Verlustleistung beträgt 3,1 W
muss das Wärmemanagement die Leiterplatten-Kupferfläche und die Umgebungsbedingungen berücksichtigen, um diese Grenze nicht zu überschreiten.
Welche Gate-Drive-Beschränkungen müssen beachtet werden?
Die Gate-Spannung darf 20 V nicht überschreiten, um Gate-Oxid-Bestressung zu verhindern, und die typische Gate-Ladung von 8,2 nC bestimmt den erforderlichen Antriebsstrom für Schaltgeschwindigkeiten.
Welche mechanischen Fußabmessungen gibt es für die Montage?
Die Komponente wird in einem SOT-223-Gehäuse mit einer Pinanzahl von 4 geliefert, was das Lötpad-Layout und die Reflow-Profile beeinflusst.
Gibt es Einschränkungen für die Dauerstromfähigkeit?
Der kontinuierliche Ableitstrom ist auf 960 mA angegeben, sodass die Ausführungen einen Spielraum für Einschalt- und Einschaltbedingungen enthalten sollten.
Verwandte Links
- Vishay IRFL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 960 mA 3.1 W, 4-Pin SOT-223
- Vishay IRFL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.7 A 3.1 W, 4-Pin SOT-223
- Vishay IRFL Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 690 mA 3.1 W, 4-Pin SOT-223
- Vishay IRFL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.5 A 3.1 W, 4-Pin SOT-223
- Vishay IRFL Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.8 A 2 W, 4-Pin SOT-223
- Vishay IRLL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.5 A 3.1 W, 4-Pin SOT-223
- Vishay Einfach Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 60 V / 2.7 A 3.1 W, 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 300 mA, 4-Pin SOT-223