Vishay IRFL210 N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 200 V / 960 mA 3.1 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 815-2736
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFL210TRPBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF 7.98
Auf Lager
- 1'570 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF 0.798 | CHF 7.95 |
| 100 - 240 | CHF 0.636 | CHF 6.36 |
| 250 - 490 | CHF 0.556 | CHF 5.58 |
| 500 - 990 | CHF 0.515 | CHF 5.16 |
| 1000 + | CHF 0.465 | CHF 4.67 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 815-2736
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFL210TRPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 960mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | IRFL210 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.2nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.1W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20, +20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.8mm | |
| Breite | 3.7mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 6.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 960mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie IRFL210 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.2nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.1W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20, +20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.8mm | ||
Breite 3.7mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 6.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRFL210 von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 200 V, maximale Verlustleistung von 3,1 W – IRFL210TRPBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Umgebungsbereich und eignet sich für Aufgaben, die kontrollierte Ableitströme und gate-gesteuerte Schaltvorgänge erfordern, mit einem Gehäuse, das die Montage auf gelöteten Leiterplatten unterstützt.
Merkmale und Vorteile:
• Der Ablasswert von 200 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 1.5 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Schwachstromkreisen
• 8.2 nC typische Gate-Ladung unterstützt moderate Schaltgeschwindigkeiten
• Kontinuierliche Ablassleistung von 960 mA für eine dauerhafte Stromversorgung
• Gate-Toleranz von ±20 V ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen
• RoHS-Konformität gewährleistet die Einhaltung eingeschränkter Stoffe bei der Herstellung
• 1.5 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Schwachstromkreisen
• 8.2 nC typische Gate-Ladung unterstützt moderate Schaltgeschwindigkeiten
• Kontinuierliche Ablassleistung von 960 mA für eine dauerhafte Stromversorgung
• Gate-Toleranz von ±20 V ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen
• RoHS-Konformität gewährleistet die Einhaltung eingeschränkter Stoffe bei der Herstellung
Anwendungen
• Geeignet für das Schalten auf der Sekundärseite der Stromversorgung
• Ideal für die Signal- und Stufenschaltung von Motorsteuerungen
• Verwendung mit kleinen Beleuchtungstreibern und LED-Regelung
• Kann für industrielle Steuerschnittstellen verwendet werden
• Geeignet für Batteriemanagement-Schaltvorgänge mit geringem Stromverbrauch
• Ideal für die Signal- und Stufenschaltung von Motorsteuerungen
• Verwendung mit kleinen Beleuchtungstreibern und LED-Regelung
• Kann für industrielle Steuerschnittstellen verwendet werden
• Geeignet für Batteriemanagement-Schaltvorgänge mit geringem Stromverbrauch
Welchem thermischen Bereich kann das Gerät im Betrieb standhalten?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit industriellen Temperaturen.
Welche Verpackung sollte für die Montage auf einer Leiterplatte erwartet werden?
Die Komponente wird in einem SOT-223-Format für die Oberflächenmontage geliefert, das für Standard-Reflow-Lötprozesse geeignet ist.
Wie viel Leistung kann bei der Montage abgegeben werden?
Die maximale Verlustleistung beträgt 3,1 W, was die Wahl des Wärmemanagements und der Wärmeableitung beeinflusst.
Wie viele Stifte hat das Bauteil und wie ist die Befestigungsart?
Er verfügt über vier Pins und ist für die Oberflächenmontage auf einer Leiterplatte ausgelegt.
Verwandte Links
- Vishay IRFL210 Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 200 V / 960 mA 3.1 W, 4-Pin SOT-223
- Vishay IRFL9014 Typ P-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung -60 V / -1.8 A 3.1 W, 4-Pin SOT-223
- Vishay IRFL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.5 A 3.1 W, 4-Pin SOT-223
- Vishay IRLL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.5 A 3.1 W, 4-Pin SOT-223
- Vishay IRFL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.7 A 3.1 W, 4-Pin SOT-223
- Vishay IRFL Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 690 mA 3.1 W, 4-Pin SOT-223
- onsemi Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 50 V Erweiterung / 510 mA 960 mW, 6-Pin SOT-23
- onsemi Isoliert Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 510 mA 960 mW, 6-Pin SOT-23
