onsemi Isoliert Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 510 mA 960 mW, 6-Pin SOT-23

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Herst. Teile-Nr.:
NDC7001C
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

510mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.1nC

Maximale Verlustleistung Pd

960mW

Betriebstemperatur min.

150°C

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.7 mm

Höhe

1mm

Länge

3mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der NDC7001C ist ein zweifacher N- und P-Kanal-MOSFET mit DMOS-Technologie von ON Semi. DMOS sorgt für schnelles Schalten, Zuverlässigkeit und Betriebswiderstand. Diese MOSFETs sind ein SOT-23-Gehäusetyp mit 6 Stiften.

Eigenschaften und Vorteile:


• DMOS-Technologie

• Hoher Sättigungsstrom

• Zelldesign mit hoher Dichte

• Kupferkabelrahmen für überlegene thermische und elektrische Fähigkeiten

NDC7001C MOSFETs sind ideal für:


• Niederspannung

• Niedriger Strom

• Schalten

• Netzteile

Zweifach-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor


Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser enorme Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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