Vishay SQ Rugged Typ P-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 50 A 71 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 819-3933
- Herst. Teile-Nr.:
- SQD45P03-12_GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.14.65
Nur noch Restbestände
- Letzte 2'870 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.1.465 | CHF.14.67 |
| 100 - 240 | CHF.1.172 | CHF.11.74 |
| 250 - 490 | CHF.1.03 | CHF.10.26 |
| 500 - 990 | CHF.0.879 | CHF.8.80 |
| 1000 + | CHF.0.788 | CHF.7.92 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 819-3933
- Herst. Teile-Nr.:
- SQD45P03-12_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | SQ Rugged | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.017Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 71W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 55.3nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Höhe | 2.38mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101, RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie SQ Rugged | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.017Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 71W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 55.3nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Höhe 2.38mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101, RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- TW
P-Kanal-MOSFET, SQ robuste Serie, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay SQ Rugged Typ P-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 50 A 71 W, 3-Pin TO-252
- Vishay SQ Rugged Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 11 A 46 W, 3-Pin TO-252
- Vishay SQ Rugged Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 40 A 75 W, 3-Pin TO-252
- Vishay SQ Rugged Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 17 A 7.14 W, 8-Pin SOIC
- Vishay SQ Rugged Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 6.2 A 6 W, 8-Pin SOIC
- Vishay SQ Rugged Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 7.4 A 5 W, 6-Pin TSOP-6
- Vishay SQ Rugged Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 3 A 2 W, 3-Pin SOT-23
- Vishay SQ Rugged Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage TrenchFET Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 25 A 62 W, 3-Pin TO-252