Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 825-9213
Herst. Teile-Nr.:: IPB020NE7N3GATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 825-9213
Herst. Teile-Nr.:: IPB020NE7N3GATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	120A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	75V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	OptiMOS 3
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	2mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	300W
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	155nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	4.57mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	10.31mm
	Breite	9.45 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 75V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie OptiMOS 3
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 2mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 300W
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 155nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 4.57mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 10.31mm
	Breite 9.45 mm
	Automobilstandard Nein

RoHS Status: Nicht zutreffend

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