Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 825-9213
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB020NE7N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 5 | CHF 5.949 | CHF 29.76 |
| 10 - 20 | CHF 5.656 | CHF 28.28 |
| 25 - 45 | CHF 5.414 | CHF 27.07 |
| 50 - 120 | CHF 5.06 | CHF 25.29 |
| 125 + | CHF 4.757 | CHF 23.80 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 825-9213
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB020NE7N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 75V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 155nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 9.45mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.31mm | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 75V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 155nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 9.45mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.31mm | ||
Höhe 4.57mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V
optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.
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Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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