Infineon OptiMOS-T N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 17 A 107 W, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (20 Stück, in einer Packung mit 20)*

CHF 39.60

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 780 Einheit(en) mit Versand ab 05. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 +CHF 1.98CHF 39.51

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
826-9002
Herst. Teile-Nr.:
IPB17N25S3100ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Serie

OptiMOS-T

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

100mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

107W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Source-spannung max Vgs

-20V, +20V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10mm

Breite

9.25mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.4mm

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS Status: Nicht zutreffend

MOSFET der OptiMOS-T-Serie von Infineon, 250 V maximale Drain-Source-Spannung, 17 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPB17N25S3100ATMA1


Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontiertes N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Hochspannungsschaltungen in Automobil- und industriellen Stromversorgungssystemen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und ist für Anwendungen konzipiert, die eine robuste thermische Beständigkeit und eine kontrollierte Schaltleistung erfordern, ohne dass es zu Details in seinem mechanischen Gehäuse oder seiner Pinanzahl geht.

Merkmale und Vorteile:


• 250 V Drain-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit
• 17 A kontinuierlicher Ablassstrom für erhebliche Lastströme
• 100 mΩ maximaler RDS(on) reduziert Leitungsverluste in Leistungsstufen
• 14 nC Gate-Typ-Ladung für effiziente Schaltsteuerung
• 0,9 V Durchlassspannungsreduzierdiode Leitungsabfall
• Maximale Verlustleistung von 107 W ermöglicht einen Betrieb mit hoher Leistung

Anwendungsbereich


• Geeignet für Hochspannungs-DC/DC-Wandler in Fahrzeugen
• Ideal für Motorantriebs-Halbbrücken in der Automobilelektronik
• Wird mit Power-Management-Modulen in industriellen Stromversorgungen verwendet
• Kann für Primärschalter mit Schaltnetzteil verwendet werden

Welche Gate-Drive-Bedenken sollte ich bei der Schaltleistung berücksichtigen?


Verwenden Sie einen Treiber, der die Gate-Ladung innerhalb des gewünschten Schaltintervalls liefern kann

Die typische Ladung von 14 nC ermöglicht es Ihnen, Spitzen-Gate-Strom und Schaltverluste für die gewählte Antriebsspannung zu schätzen.

Wie wirkt sich die thermische Umgebung auf die Dauerstromfähigkeit aus?


Die Verlustleistung des Geräts von 107 W erfordert ein angemessenes thermisches Design der Leiterplatte und eine Wärmeableitung, um bei der Übertragung des angegebenen Dauerstroms von 17 A sichere Sperrschichttemperaturen aufrechtzuerhalten.

Welche Schutzgrenzwerte gelten für das Gate des Geräts?


Stellen Sie sicher, dass die Gate-Spannung innerhalb von ±20 V bleibt, um eine Überbelastung des Gate-Oxids zu vermeiden, und berücksichtigen Sie die Unterdrückung von Transienten, wenn sie induktiven Schaltspitzen ausgesetzt sind.

Wie tolerant ist das Gerät gegenüber Kaltstart und Hochtemperaturbetrieb?


Es ist spezifiziert für den Betrieb von niedrigen Automobiltemperaturen bis hin zu erhöhten Bedingungen, was den Einsatz in Systemen mit großen Umgebungstemperaturschwankungen erleichtert.

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.